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详细参数
- 型号：
BSS606NH6327XT
- 功能描述：
MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
7000 |
询价 | ||||
Infineon Technologies |
21+ |
PG-SOT89 |
2000 |
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Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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INFINEON |
25+ |
SOT89 |
3675 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
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Infineon Technologies |
22+ |
TO243AA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
INFINEON |
21+ |
SOT-89 |
4000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 |
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更新时间2025-11-25 15:01:00
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- PI6C2501W
- CSX750FBC-24.576M-UT
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