BSS4130中文资料General purpose amplification (30V, 1A)数据手册ROHM规格书
| 厂商型号 |
BSS4130 |
| 参数属性 | BSS4130 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 30V 1A SST3 |
| 功能描述 | General purpose amplification (30V, 1A) |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ROHM Rohm |
| 中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-30 18:35:00 |
| 人工找货 | BSS4130价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BSS4130规格书详情
描述 Description
BSS4130 is a SOT-23 package Transistor for low frequency amplifier, driver.
特性 Features
·A collector current is large
·Collector-Emitter saturation voltage is low. VCE(sat)≦350mV at IC=500mA /IB=25mA
·Complements the BSS5130.
简介
BSS4130属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BSS4130晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BSS4130
- 生产厂家
：ROHM
- Package Code
：SOT-23
- Package Size[mm]
：2.9x2.4(t=0.95)
- Number of terminal
：3
- Polarity
：NPN
- Collector-Emitter voltage VCEO1[V]
：30.0
- Collector current(continuous) IC1[A]
：1.0
- Collector Power dissipation PC[W]
：0.2
- hFE
：270 to 680
- hFE (Min.)
：270
- hFE (Max.)
：680
- Mounting Style
：Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SOT-23 |
7000 |
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