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BSS138_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

BSS138_F085

功能描述

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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BSS138_F085规格书详情

描述 Description

这些N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度 DMOS 技术生产。 这些产品专为最大限度地降低通态电阻并提供耐用、可靠的快速开关性能而设计。这些产品特别适合于小型伺服电动机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器等低电压、低电流应用,以及其他开关应用。

特性 Features

0.22 A、50 VRDS(ON) = 3.5Ω (VGS = 10 V);RDS(ON) = 6.0Ω (VGS = 4.5 V)
高密度单元设计可实现极低的 RDS(ON)
坚固而可靠
紧凑的工业标准 SOT-23 表面贴装封装

技术参数

  • 制造商编号

    :BSS138_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :AEC QualifiedPPAP CapablePb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    : 

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :0.22

  • PD Max (W)

    :0.36

  • GS = 2.5 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    : 

  • GS = 4.5 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :6000

  • GS = 10 V\ style=\cursor:help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3500

  • GS = 4.5 V\ style=\cursor:help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    : 

  • GS = 10 V\ style=\cursor:help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :2.4

  • Ciss Typ (pF)

    :27

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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