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BSR19数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

BSR19

参数属性

BSR19 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB

功能描述

NPN high voltage transistors

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-8 17:51:00

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BSR19规格书详情

描述 Description

DESCRIPTION
NPN high-voltage transistor in a SOT23 plastic package.
PNP complements: BSR20 and BSR20A.FEATURES
• Low current (max. 300 mA)
• High voltage (max. 160 V).APPLICATIONS
• General purpose switching and amplification
• Especially used for telephony applications.

特性 Features

• Low current (max. 300 mA)
• High voltage (max. 160 V).

应用 Application

• General purpose switching and amplification
• Especially used for telephony applications.

技术参数

  • 产品编号:

    BSR19A,215

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    150mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    300MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 0.3A TO236AB

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