BSR16数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
BSR16 |
参数属性 | BSR16 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 0.8A SOT23-3 |
功能描述 | BSR16: PNP General Purpose Amplifier |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 18:00:00 |
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BSR16规格书详情
描述 Description
BSR16
特性 Features
该器件设计用作要求集电极电流达到500mA的通用放大器和开关。
采用工艺 63 设计。
如需相关特性,请参见 BCW68G。
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
BSR16属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BSR16晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BSR16
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:Pb-freeHalide free
- Status
: Active
- Description
: PNP General Purpose Amplifier
- Polarity
:PNP
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:Condition: IC = -0.15A
- IC Cont. (A)
:0.8
- VCEO Min (V)
:60
- VCBO (V)
:60
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:1.3
- VBE(on) (V)
:-
- hFE Min
:Condition: IC = -0.15A
- hFE Max
:Condition: IC = -0.15A
- fT Min (MHz)
:200
- PTM Max (W)
:0.35
- Package Type
:SOT-23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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