BSP51H6327XTSA1_分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个-英飞凌

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1+	¥面议

厂家型号：
BSP51H6327XTSA1
制造商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个
封装外壳：
TO-261-4，TO-261AA
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-15 15:00:00

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原厂料号：BSP51H6327XTSA1品牌：Infineon Technologies

资料说明：TRANS NPN DARL 60V 1A SOT223-4

BSP51H6327XTSA1是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商INFINEON/英飞凌生产封装TO-261-4，TO-261AA的BSP51H6327XTSA1晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
bsp51h6327xtsa1
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技公司
资料说明：
TRANS NPN DARL 60V 1A SOT223-4

产品属性

类型
描述
产品编号：
BSP51H6327XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.8V @ 1mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
2000 @ 500mA，10V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
PG-SOT223-4
描述：
TRANS NPN DARL 60V 1A SOT223-4

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BSP51H6327XTSA1

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