| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
 |
Infineon(英飞凌)N/A |
12000 |
23+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
2年
留言
|
 |
INFINEON/英飞凌SOT-223 |
18000 |
26+ |
原装正品,可配单,支持实单 |
||
|
1年
留言
|
 |
INFINEON/英飞凌SOT-223 |
20000 |
26+ |
原装,可BOM配单 |
||
|
 |
INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
|
7年
留言
|
Infineon(英飞凌)SOT-223 |
11580 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
|
8年
留言
|
INFINEON/英飞凌SOT223 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
|||
|
8年
留言
|
Infineon(英飞凌)SOT-223 |
11580 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
|
5年
留言
|
INFINEON/英飞凌SOT-223 |
300000 |
18+ |
原装正品 可含税交易 |
|||
|
7年
留言
|
Infineon(英飞凌)SOT-223 |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
|||
|
16年
留言
|
NIFINEONSOT223 |
65400 |
23+ |
||||
|
7年
留言
|
Infineon(英飞凌)SOT-223 |
11580 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
|
6年
留言
|
 |
Infineon/英飞凌原厂封装 |
10280 |
26+ |
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力! |
||
|
 |
Infineon(英飞凌)N/A |
12000 |
23+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
 |
INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
|
15年
留言
|
 |
Infineon(英飞凌)原装 |
68241 |
26+ |
|
Infineon(英飞凌)_BSP135H6327即刻询购立享优惠#长期有订 |
|
|
4年
留言
|
Infineon(英飞凌) |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
|||
|
7年
留言
|
Infineon(英飞凌)SOT-223-4 |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
|
7年
留言
|
Infineon(英飞凌)SOT-223 |
16316 |
24+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
|
8年
留言
|
Infineon(英飞凌)SOT-223-4 |
21000 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
|||
|
20年
留言
|
INFINEON TECHNOLOGIES |
2901 |
2252 |
BSP135采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BSP135图片
BSP135H6327XTSA1价格
BSP135H6327XTSA1价格：￥3.1507品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的BSP135H6327XTSA1多少钱，想知道BSP135H6327XTSA1价格是多少？参考价：￥3.1507。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BSP135H6327XTSA1批发价格及采购报价，BSP135H6327XTSA1销售排行榜及行情走势，BSP135H6327XTSA1报价。
BSP135H6327中文资料Alldatasheet PDF
更多BSP135制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 0.12A SOT223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-channel MOSFET,BSP135 0.1A 600V
BSP135 E6327功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSP135 E6906功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSP135 L6327功能描述:MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 600V .02A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSP135 L6433功能描述:MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 600V .02A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSP135 L6906功能描述:MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 600V .02A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSP135_10制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor
BSP135E6327NT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BSP135E6327T制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BSP135E6327XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
