| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
|
Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
|
650 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
||||
|
深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
|
55 |
23+ |
|||||
|
深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
|
7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
||||
|
深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
|
Infineon(英飞凌)IGBT |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
|||
|
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
|
12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
||||
|
深圳市华来深电子有限公司11年
留言
|
INFINEONIGBT |
200 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
|||
|
深圳市星佑电子有限公司16年
留言
|
EUPECIGBT |
77 |
08+ |
全新进口原装绝对公司现货特价! |
|||
|
深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
|
INFINEONIGBT模块 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
|||
|
深圳市亿顺芯科技有限公司6年
留言
|
INFINEON/英飞凌module |
1525 |
专营功率模块,现货库存 |
||||
|
浙江永芯科技有限公司4年
留言
|
InfineonNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
|||
|
深圳市瀚珑科技有限公司2年
留言
|
INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
|||
|
深圳市锦达世纪科技有限公司8年
留言
|
0 |
||||||
|
深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
|
 |
英飞凌75A/1200V |
1500 |
23+ |
全新原装正品,价格优势，敬请来电！ 0755/82723761/82772189 |
||
|
深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
|
500 |
23+ |
全新原装现货,价格优势 |
||||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Infineon(英飞凌)AG-ECONO3-1 |
914 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
|
中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
|
INFINEON/英飞凌MODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
|||
|
中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
|
INFINEON/英飞凌MODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
|
Infineon/英飞凌 |
980 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
|
深圳市正纳电子有限公司12年
留言
|
Infineon(英飞凌)NA |
20094 |
23+ |
|
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
BSM75GD120D采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BSM75GD120D图片
BSM75GD120DN2资讯
BSM75GD120DN2全新原装现货
BSM75GD120DN2深圳市赛尔通科技有限公司全新原装现货
BSM75GD120DLC 上海铭静电子
易先生18217715789/18217657789 INFINEON10013+标准封装大量现货,请来电咨询
BSM75GD120DN2中文资料Alldatasheet PDF
更多BSM75GD120DLC功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 125A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM75GD120DN2功能描述:IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
