| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
- 厂家型号：
BSM150GAR120DN2
- 产品分类：
IC芯片
- 生产厂商：
原厂
- 库存数量：
600
- 产品封装：
模块
- 生产批号：
2023+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-8-2 10:18:00
BSM150GAR120DN2_原厂_IGBT 晶体管 1200V 150A DUAL华富测量
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号：
BSM150GAR120DN2
- 功能描述：
IGBT 晶体管 1200V 150A DUAL
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
供应商
相近型号
- BSM150GB120D
- BSM150GAL120DN2E3166
- BSM150GB120D11
- BSM150GAL120DN2DLC
- BSM150GB120DDL
- BSM150GB120DLC
- BSM150GAL120DN2(DLC)
- BSM150GB120DLC_E3256
- BSM150GAL120DN2
- BSM150GB120DLCB
- BSM150GAL120DN11
- BSM150GB120DLCHOSA1
- BSM150GAL120DN
- BSM150GAL120DLC
- BSM150GB120DN1
- BSM150GAL120DL
- BSM150GB120DN11
- BSM150GAL120D
- BSM150GB120DN2
- BSM150GAL100D
- BSM150GB120DN2(DLC)
- BSM150GAB120D
- BSM150DY-24H
- BSM150GB120DN2_E3166
- BSM150CT120DN2
- BSM150BG60DLC
- BSM150GB120DN2_E3256
- BSM150
- BSM150GB120DN2B
- BSM145GB120DN2
- BSM150GB120DN2B1
- BSM141AR
- BSM150GB120DN2DLC
- BSM141
- BSM150GB120DN2E
- BSM12-S5701.2
- BSM150GB120DN2E3166
- BSM125
- BSM150GB120DN2E3256
- BSM122AR
- BSM150GB120DN2F
- BSM121R
- BSM150GB120DN2F_E325
- BSM121AR
- BSM121A4R
- BSM121
- BSM150GB120DN2HOSA1
- BSM120GB128DNN2K
- BSM150GB120DN2IGBT
- BSM120D12P2C005
