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BSD816SN中文资料采用 SOT363 封装的 N 沟道小信号 MOSFET 20 V数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BSD816SN

功能描述

采用 SOT363 封装的 N 沟道小信号 MOSFET 20 V

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 18:35:00

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BSD816SN规格书详情

描述 Description

所有的小型单个 n 通道系列产品均适合汽车应用(2N7002 除外)。

特性 Features

• 增强模式
• 无铅镀层;符合 RoHS
• 质量符合 AEC Q101 标准
/* Style Definitions */ table.MsoNormalTable{mso-style-name:\"Table Normal\";mso-style-parent:\"\";line-height:115%;font-size:11.0pt;\"Calibri\",\"sans-serif\";mso-fareast-\"Times New Roman\";}
优势:

应用 Application

• 汽车
• 消费品
• 直流-直流
• 电动交通
• 电机控制
• 板载充电器
• 通信 

技术参数

  • 制造商编号

    :BSD816SN

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :SOT-363

  • VDS max

    :20.0V

  • RDS (on)(@2.5V) max

    :160.0mΩ

  • RDS (on)(@1.8V) max

    :240.0mΩ

  • ID  max

    :1.4A

  • Ptot max

    :0.5W

  • IDpuls max

    :5.6A

  • VGS(th) min max

    :0.3V 0.95V

  • QG 

    :0.6nC 

  • RthJA max

    :250.0K/W

  • Ciss 

    :126.0pF 

  • Coss 

    :47.0pF 

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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