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BSC886N03LS G中文资料MOSFET N-Ch 30V 65A TDSON-8数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
BSC886N03LS G
- 功能描述：
MOSFET N-KANAL POWER MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AD |
25+ |
QFN-8 |
1428 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
QFN8 |
98900 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
TDSON8 |
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INFINEO |
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INFINEON |
24+ |
QFN8 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
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INFINEON |
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QFN8 |
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INFIENON |
11+ |
QFN-8 |
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INFINEON/英飞凌 |
11PB |
DFN |
229 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TDSON-8 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 |
