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BSC16DN25NS3中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号:
BSC16DN25NS3
- 功能描述:
MOSFET N-CH 250V 10.9A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA/ |
8735 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
589610 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
7000 |
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infineon/英飞凌 |
2021/2022+ |
NA |
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INFINEON-英飞凌 |
24+25+/26+27+ |
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INFINEON/英飞凌 |
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9800 |
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Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TDSON-8 |
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INFINEON/英飞凌 |
2122+ |
TDSON-8 |
10000 |
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Infineon Technologies |
22+ |
8PowerTDFN |
9000 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
QFN-8 |
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