选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市英博尔电子有限公司4年
留言
|
INFINEONTDSON-8 |
16500 |
2年内 |
英博尔原装优质现货订货渠道商 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Infineon(英飞凌)QFN8 |
17048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Infineon(英飞凌)QFN8 |
21316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
|
Infineon(英飞凌)TDSON-8-5 |
11318 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
|
7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
||||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
INFINEON/英飞凌TDSON-8 |
4200 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
INFINEON/英飞凌PQFN5X6 |
7906200 |
|||||
|
深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
|
INFINEONQFN8 |
3000 |
新批次 |
||||
|
深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
|
INFINEONTDSON-8 |
5000 |
21+ |
||||
|
贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
|
12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
||||
|
深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
|
8000 |
23+ |
原装,正品 |
||||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
INFINEON/英飞凌PQFN5X6 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
|||
|
深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
|
INFINEONTDSON-8 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
|
深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
|
Infineon/英飞凌PG-TDSON-8 |
22237 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
|||
|
深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
|
Infineon英飞凌专营TDFN-8 |
9000 |
原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期 |
||||
|
深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
|
INFINEONTDSON8 |
25000 |
23+ |
英飞凌MOS管全系列在售,终端可供样品 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
INFINEONPG-TDSON-8 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
|||
|
无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
|
iscDFN5×6 |
4750 |
2024 |
|
国产品牌isc,可替代原装 |
||
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
Infineon TechnologiesPG-TDSON-8-5 |
30000 |
23+ |
|
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
INFINEOTDSON-8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
BSC12DN20NS3采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BSC12DN20NS3图片
BSC12DN20NS3G价格
BSC12DN20NS3G价格:¥3.9481品牌:Infineon
生产厂家品牌为Infineon的BSC12DN20NS3G多少钱,想知道BSC12DN20NS3G价格是多少?参考价:¥3.9481。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BSC12DN20NS3G批发价格及采购报价,BSC12DN20NS3G销售排行榜及行情走势,BSC12DN20NS3G报价。
BSC12DN20NS3GATMA中文资料Alldatasheet PDF
更多BSC12DN20NS3 G功能描述:MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSC12DN20NS3G功能描述:MOSFET N-CH 200V 11.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSC12DN20NS3GATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TDSON EP 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON