BSC072N03LD G中文资料N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

厂商型号	BSC072N03LD G
功能描述	N 沟道功率 MOSFET
制造商	Infineon Infineon Technologies AG
中文名称	英飞凌英飞凌科技股份公司
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-11-18 9:14:00
人工找货	BSC072N03LD G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

描述 Description

极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制，可改善电磁干扰行为，以及延长电池寿命。可用于半桥配置（功率级 5x6）

特性 Features

• 极低的栅极和输出电荷
• 极低的导通状态电阻，小体积封装
• 设计导入容易

优势:
• 延长电池寿命
• 改进 EMI 表现，无需外部缓冲器网络
• 节省成本
• 节约空间
• 减少功率损耗

应用 Application

• 板载充电器
• 应用指南
• 主板
• 直流-直流
• VRD/VRM
• 电机控制
• LED

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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