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BSC010N04LS数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

BSC010N04LS

参数属性

BSC010N04LS 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:DIFFERENTIATED MOSFETS

功能描述

20V-300V N-Channel Power MOSFET
DIFFERENTIATED MOSFETS

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 12:30:00

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BSC010N04LS规格书详情

描述 Description

Infineon's 40V and 60V MOSFET product families feature not only the industry’s lowest RDS(on) but also a perfect switching behavior for fast switching applications. 15% lower RDS(on) and 31% lower figure of merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology.

特性 Features

• Optimized for synchronous rectification
• 15% lower RDS(on) than alternative devices
• 31% improvement of FOM over similar devices
• RoHS compliant - halogen free
• MSL1 rated

优势:
• Highest system efficiency
• Less paralleling required
• Increased power density
• System cost reduction
• Very low voltage overshoot

应用 Application

• Synchronous rectification
• Solar micro inverter
• Isolated DC-DC converters
• Motor control
• Or-ing switches

简介

BSC010N04LS属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的BSC010N04LS晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BSC010N04LS

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :BSC010N04LSATMA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-TDSON-8

  • VDS max

    :40 V

  • RDS (on) @10V max

    :1 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :1.3 mΩ

  • ID @25°C max

    :100 A

  • QG typ @4.5V

    :49 nC

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :150 °C

  • VGS(th) min

    :1 V

  • VGS(th) max

    :2.2 V

  • Technology

    :OptiMOS™ 5

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