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BSP250	文件：114.24 Kbytes Page：12 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT223plasticSMDpackage. FEATURES •High-speedswitching •Nosecondarybreakdown •Verylowon-resistance. APPLICATIONS •Low-lossmotorandactuatordrivers •Powerswitching.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSP250	文件：1.00563 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel35V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitches,AdaptorSwitch -NotebookPCs	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
BSP250	文件：212.85 Kbytes Page：13 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor FEATURES ·High-speedswitching ·Nosecondarybreakdown ·Verylowon-resistance. APPLICATIONS ·Low-lossmotorandactuatordrivers ·Powerswitching. DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor inaSOT223plasticSMDpackage.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BW250EAG	文件：9.70248 Mbytes Page：93 Pages	MoldedCaseCircuitBreakers	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
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详细参数

型号：
BS250PSTOB
功能描述：
MOSFET P-Chnl 45V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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