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BS2130F-G中文资料600V耐压 3相桥驱动器数据手册ROHM规格书

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厂商型号

BS2130F-G

参数属性

BS2130F-G 封装/外壳为28-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装为托盘;类别为集成电路(IC)的全半桥驱动器;BS2130F-G应用范围:通用;产品描述:600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE

功能描述

600V耐压 3相桥驱动器
600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE

封装外壳

28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-19 18:00:00

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BS2130F-G规格书详情

描述 Description

BS2130是可驱动使用自举方式的外接Nch-FET及IGBT的600V高耐压3相桥驱动器。输入逻辑电源电压可使用3.3V及5.0V两种。作为保护功能,在VCC-COM之间及VB-VS中搭载低输入误动作防止电路(UVLO)及过电流保护电路(OCP)。此外,为输出保护监测信号,搭载了FAULT端子,还可通过RCIN端子上连接的RC的时间常数调整OCP检测保持时间。

特性 Features

• Floating Channels for Bootstrap Operation to +600V
• Gate drive supply range from 11.5V to 20V
• Built-in Under Voltage Lockout for Both Channels
• The device includes an Over Current Protection circuit
• Built-in Enable Channel (EN) which enable I/O functionality
• Built-in FAULT Channel (/FAULT) which indicates over current and under voltage
• RCIN Channel can determine the OCP holding time by external resistance and capacitance
• 3.3V and 5.0V input logic compatible
• Output in phase with input

简介

BS2130F-G属于集成电路(IC)的全半桥驱动器。由制造生产的BS2130F-G全半桥驱动器器件属于电桥驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 系列,包含两个或多个功率晶体管,以及在外部器件控制下将其用作开关所需的电路。这些晶体管通常在内部配置为成对串联连接(称为半桥),因而任意指定晶体管对之间的结点都可以连接至两个电源轨中的任一个。这类器件常用于将控制器件(如微控制器)提供的低电平信号转换为操作执行器(如步进电机或无刷电机)所需的较大功率信号。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BS2130F-G

  • 生产厂家

    :ROHM

  • Status

    :推荐品

  • 封装

    :SOP-28

  • 包装数量

    :1500

  • 最小独立包装数量

    :1500

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Grade

    :Standard

  • Channel

    :6

  • High-side floating supply voltage [V]

    :600

  • Min Output Current Io+ [mA]

    :200

  • Min Output Current Io- [mA]

    :350

  • Turn-on/off time (Typ.) [ns]

    :630/580

  • Dead time (Typ.) [ns]

    :300

  • Offset supply leakage current (Max.) [µA]

    :50

  • Vcc(Min.)[V]

    :11.5

  • Vcc(Max.)[V]

    :20.0

  • Operating Temperature (Min.)[°C]

    :-40

  • Operating Temperature (Max.)[°C]

    :125

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