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BS2100F中文资料600V High voltage High & Low-side, Gate Driver数据手册ROHM规格书

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厂商型号

BS2100F

参数属性

BS2100F 包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC DVR IGBT/MOSFET

功能描述

600V High voltage High & Low-side, Gate Driver
IC DVR IGBT/MOSFET

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-11-18 23:00:00

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BS2100F规格书详情

特性 Features

·Floating Channels for Bootstrap Operation to +600V
·Gate drive supply range from 10V to 18V
·Built-in Under Voltage Lockout for Both Channels
·3.3V and 5.0V Input Logic Compatible
·Matched Propagation Delay for Both Channels
·Output in phase with input

简介

BS2100F属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由ROHM制造生产的BS2100F栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BS2100F

  • 生产厂家

    :ROHM

  • Channel

    :2

  • High-side floating supply voltage [V]

    :600

  • Min Output Current Io+ [mA]

    :60

  • Min Output Current Io- [mA]

    :130

  • Turn-on/off time (Typ.) [ns]

    :220

  • Dead time (Typ.) [ns]

    :160

  • Offset supply leakage current (Max.) [µA]

    :50

  • Vcc(Min.)[V]

    :10.0

  • Vcc(Max.)[V]

    :18.0

  • Operating Temperature (Min.)[°C]

    :-40

  • Operating Temperature (Max.)[°C]

    :125

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