BS170ZL1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
BS170ZL1G
- 功能描述:
MOSFET 60V 500mA N-Channel
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
BESTAR |
DIP |
1000 |
正品原装--自家现货-实单可谈 |
询价 | |||
BESTAR |
24+ |
DIP |
37279 |
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TXC(晶技) |
24+ |
SMD6P |
7350 |
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ONS |
24+ |
TO-92MOS |
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BESTAR |
DIP |
2350 |
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ON |
23+ |
TO-92 |
56000 |
询价 | |||
ON Semiconductor |
22+ |
TO2263 TO923 (TO226AA) () |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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ON/安森美 |
25+ |
TO-92 |
56468 |
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ON |
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TO-92 |
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FERRAZ/罗兰熔断器 |
23+ |
标准封装 |
5000 |
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