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深圳市嵩宏达科技有限公司

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YANGJIE/扬杰科技BR

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深圳市科翼源电子有限公司

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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Comchip TechnologyBRW

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BR5010L

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BR5010制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SILICON BRIDGE RECTIFIERS

BR5010-G功能描述:桥式整流器 DIODE RECT BRIDGE 50A 1000V RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube

BR5010L-G功能描述:桥式整流器 VR=1000V IAV=50A RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube

BR5010W制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SILICON BRIDGE RECTIFIERS

BR5010W-G功能描述:桥式整流器 DIODE RECT BRIDGE 25A 1000V RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号：

    BR5010

  • 制造商：

    Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

  • 类别：

    分立半导体产品 > 二极管 - 桥式整流器

  • 包装：

    管件

  • 二极管类型：

    Single Phase

  • 技术：

    标准

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    底座安装

  • 封装/外壳：

    4-方形，BR

  • 供应商器件封装：

    BR

  • 描述：

    RECT BRIDGE 1000V 50A GBPC50-G

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