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BR24T64NUX-W集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

BR24T64NUX-W

参数属性

BR24T64NUX-W 封装/外壳为8-UFDFN 裸露焊盘;包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC EEPROM 64KBIT VSON008X2030

功能描述

High Reliability Serial EEPROMs
IC EEPROM 64KBIT VSON008X2030

封装外壳

8-UFDFN 裸露焊盘

文件大小

430.63 Kbytes

页面数量

22

生产厂商

ROHM

中文名称

罗姆

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-7 23:00:00

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BR24T64NUX-W规格书详情

BR24T64NUX-W属于集成电路(IC)的存储器。由罗姆半导体集团制造生产的BR24T64NUX-W存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

General Description

BR24T04-W is a serial EEPROM of I2C BUS Interface Method

特性 Features

■ Completely conforming to the world standard I2C

BUS.

All controls available by 2 ports of serial clock

(SCL) and serial data (SDA)

■ Other devices than EEPROM can be connected to

the same port, saving microcontroller port

■ 1.6V to 5.5V Single Power Source Action most

suitable for battery use

■ 1.6V to 5.5V wide limit of action voltage, possible

FAST MODE 400kHz action

■ Page Write Mode useful for initial value write at

factory shipment

■ Self-timed Programming Cycle

■ Low Current Consumption

■ Prevention of Write Mistake

➤ Write (Write Protect) Function added

➤ Prevention of Write Mistake at Low Voltage

■ More than 1 million write cycles

■ More than 40 years data retention

■ Noise filter built In SCL / SDA terminal

■ Initial delivery state FFh

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BR24T64NUX-WTR

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    EEPROM

  • 技术:

    EEPROM

  • 存储容量:

    64Kb(8K x 8)

  • 存储器接口:

    I²C

  • 写周期时间 - 字,页:

    5ms

  • 电压 - 供电:

    1.6V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-UFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    VSON008X2030

  • 描述:

    IC EEPROM 64KBIT VSON008X2030

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM(罗姆)
24+
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