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BR24T02FVJ-WG集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料
![BR24T02FVJ-WG](https://img.114ic.com/dgk/Renders/Rohm%20Renders/Rohm-8-TSSOP-BJ.jpg)
厂商型号 |
BR24T02FVJ-WG |
参数属性 | BR24T02FVJ-WG 封装/外壳为8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP |
功能描述 | High Reliability Serial EEPROMs |
文件大小 |
593.4 Kbytes |
页面数量 |
24 页 |
生产厂商 | Rohm Semiconductor |
企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-25 22:58:00 |
BR24T02FVJ-WG规格书详情
BR24T02FVJ-WG属于集成电路(IC) > 存储器。罗姆半导体集团制造生产的BR24T02FVJ-WG存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号:
BR24T02FVJ-WGE2
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
EEPROM
- 技术:
EEPROM
- 存储容量:
2Kb(256 x 8)
- 存储器接口:
I²C
- 写周期时间 - 字,页:
5ms
- 电压 - 供电:
1.6V ~ 5.5V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-TSSOP-BJ
- 描述:
IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
2016+ |
MSOP8 |
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