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BR24G512FJ-3AGTE2集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料

BR24G512FJ-3AGTE2
厂商型号

BR24G512FJ-3AGTE2

参数属性

BR24G512FJ-3AGTE2 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOPJ

功能描述

I2C BUS EEPROM (2-Wire)
IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOPJ

文件大小

874.08 Kbytes

页面数量

34

生产厂商 Rohm Semiconductor
企业简称

ROHM罗姆

中文名称

罗姆半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-31 23:00:00

BR24G512FJ-3AGTE2规格书详情

BR24G512FJ-3AGTE2属于集成电路(IC) > 存储器。罗姆半导体集团制造生产的BR24G512FJ-3AGTE2存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

  • 产品编号:

    BR24G512FJ-3AGTE2

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    EEPROM

  • 技术:

    EEPROM

  • 存储容量:

    512Kb(64K x 8)

  • 存储器接口:

    I²C

  • 写周期时间 - 字,页:

    5ms

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOP-J

  • 描述:

    IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOPJ

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