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BR24C21F-E2集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

BR24C21F-E2

参数属性

BR24C21F-E2 封装/外壳为8-SOIC(0.173",4.40mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOP

功能描述

Standard EEPROMs Plug & Play EEPROMs
IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOP

封装外壳

8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)

文件大小

603.58 Kbytes

页面数量

21

生产厂商

ROHM

中文名称

罗姆

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-1 20:19:00

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BR24C21F-E2规格书详情

BR24C21F-E2属于集成电路(IC)的存储器。由罗姆半导体集团制造生产的BR24C21F-E2存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

● General Description

BR24C21F, BR24C21FJ, BR24C21FV are serial EEPROMs that support DDC1™/DDC2™ interfaces for Plug and Play displays

● Features

■ Compatible with both DDC1TM/DDC2TM

■ Operating voltage range: 2.5V to 5.5V

■ Page write function: 8bytes

■ Low power consumption

► Active (at 5V) : 1.5mA (typ)

► Stand-by (at 5V) : 0.1µA (typ)

■ Address auto increment function during Read operation

■ Data security

► Write enable feature (VCLK)

► Write protection at low Vcc

■ Initial data=FFh

■ Data retention: 10years

■ Rewriting possible up to 100,000 times

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BR24C21F-E2

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    EEPROM

  • 技术:

    EEPROM

  • 存储容量:

    1Kb(128 x 8)

  • 存储器接口:

    I²C

  • 写周期时间 - 字,页:

    10ms

  • 电压 - 供电:

    2.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOP

  • 描述:

    IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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