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BQ4016YMC-70集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BQ4016YMC-70 |
| 参数属性 | BQ4016YMC-70 封装/外壳为36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）；包装为管件；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC NVSRAM 8MBIT PAR 36DIP MODULE |
| 功能描述 | 1024Kx8 Nonvolatile SRAM |
| 封装外壳 | 36-DIP 模块（0.610"，15.49mm） |
| 文件大小 |
897.06 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | TI |
| 中文名称 | 德州仪器 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-15 19:09:00 |
| 人工找货 | BQ4016YMC-70价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BQ4016YMC-70规格书详情
BQ4016YMC-70属于集成电路（IC）的存储器。由德州仪器制造生产的BQ4016YMC-70存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
更多- 产品编号：
BQ4016YMC-70
- 制造商：
Texas Instruments
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
NVSRAM
- 技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存储容量：
8Mb（1M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
70ns
- 电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）
- 供应商器件封装：
36-DIP 模块
- 描述：
IC NVSRAM 8MBIT PAR 36DIP MODULE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
18+ |
QFN |
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TI/TEXAS |
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36DIP Module (18.42x52.96) |
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TI |
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TI |
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Texas Instruments |
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36-DIP 模块18.42x52.96 |
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