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BQ4011YMA-200	文件：755.04 Kbytes Page：13 Pages	32Kx8 Nonvolatile SRAM	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BQ4011YMA-200	文件：353.95 Kbytes Page：16 Pages	32 k 쨈 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
BQ4011YMA-200	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：28-DIP 模块（0.61"，15.49mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BQ4011YMA-200N	文件：755.04 Kbytes Page：13 Pages	32Kx8 Nonvolatile SRAM	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

产品属性

产品编号：
BQ4011YMA-200
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
200ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
28-DIP 模块（0.61"，15.49mm）
供应商器件封装：
28-DIP 模块（18.42x37.72）
描述：
IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BQ4011YMA-200供应商更新时间2024-5-8 14:14:00

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