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BQ4010Y集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料

BQ4010Y

厂商型号	BQ4010Y
参数属性	BQ4010Y 封装/外壳为28-DIP 模块（0.61"，15.49mm）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
功能描述	8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V) IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
文件大小	178.13 Kbytes
页面数量	18 页
生产厂商	Texas Instruments
企业简称	TI【德州仪器】
中文名称	美国德州仪器公司官网
原厂标识
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二原厂数据手册到原厂下载
更新时间	2024-6-15 22:58:00

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BQ4010Y规格书详情

BQ4010Y属于集成电路（IC） > 存储器。美国德州仪器公司制造生产的BQ4010Y存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

产品编号：
BQ4010YMA-150N
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
64Kb（8K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
150ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
28-DIP 模块（0.61"，15.49mm）
供应商器件封装：
28-DIP 模块（18.42x37.72）
描述：
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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