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BQ4010Y集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料

BQ4010Y
厂商型号

BQ4010Y

参数属性

BQ4010Y 封装/外壳为28-DIP 模块(0.61",15.49mm);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

功能描述

8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

文件大小

178.13 Kbytes

页面数量

18

生产厂商 Texas Instruments
企业简称

TI德州仪器

中文名称

美国德州仪器公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-16 4:27:00

BQ4010Y规格书详情

BQ4010Y属于集成电路(IC) > 存储器。美国德州仪器公司制造生产的BQ4010Y存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

  • 产品编号:

    BQ4010YMA-150N

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    NVSRAM

  • 技术:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量:

    64Kb(8K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    150ns

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    28-DIP 模块(0.61",15.49mm)

  • 供应商器件封装:

    28-DIP 模块(18.42x37.72)

  • 描述:

    IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

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