BQ4010Y集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
BQ4010Y |
参数属性 | BQ4010Y 封装/外壳为28-DIP 模块(0.61",15.49mm);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP |
功能描述 | 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V) |
文件大小 |
178.13 Kbytes |
页面数量 |
18 页 |
生产厂商 | Texas Instruments |
企业简称 |
TI【德州仪器】 |
中文名称 | 美国德州仪器公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-16 4:27:00 |
BQ4010Y规格书详情
BQ4010Y属于集成电路(IC) > 存储器。美国德州仪器公司制造生产的BQ4010Y存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号:
BQ4010YMA-150N
- 制造商:
Texas Instruments
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
NVSRAM
- 技术:
NVSRAM(非易失性 SRAM)
- 存储容量:
64Kb(8K x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
150ns
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
28-DIP 模块(0.61",15.49mm)
- 供应商器件封装:
28-DIP 模块(18.42x37.72)
- 描述:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
22 |
DIP28 |
15000 |
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