BQ4010数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF
技术参数
- 产品编号：
BQ4010MA-200
- 制造商：
Texas Instruments
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
NVSRAM
- 技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存储容量：
64Kb（8K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
200ns
- 电压 - 供电：
4.75V ~ 5.5V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
28-DIP 模块（0.61"，15.49mm）
- 供应商器件封装：
28-DIP 模块（18.42x37.72）
- 描述：
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
2016+ |
DIP28 |
2500 |
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询价 | ||
BENCHMA |
20+ |
DIP |
67500 |
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询价 | ||
BENCHMARQ |
97+ |
DIP28 |
3300 |
全新原装进口自己库存优势 |
询价 | ||
BENCHMARQ |
24+/25+ |
14 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
TI/德州仪器 |
1950+ |
DIP |
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BQ |
1618+ |
DIP |
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TI/德州仪器 |
25+ |
25000 |
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TI |
2 |
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TI |
23+ |
1888 |
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BQ |
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DIP |
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询价 |
