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BR103	文件：14.99 Kbytes Page：3 Pages	SiliconBi-directionalTriggerDevice GENERALDESCRIPTION Siliconbidirectionaltriggerdeviceinaglassenvelopesuitableforsurfacemounting.Thedeviceisintendedforuseintriacandthyristortriggercircuits.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BR103	文件：72.69 Kbytes Page：4 Pages	SILICONMINIATURETHYRISTOR SiliconMiniatureThyristor	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BR103	文件：143.22 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARTHYRISTOR	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
BR103	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BR103LLD	文件：14.99 Kbytes Page：3 Pages	SiliconBi-directionalTriggerDevice GENERALDESCRIPTION Siliconbidirectionaltriggerdeviceinaglassenvelopesuitableforsurfacemounting.Thedeviceisintendedforuseintriacandthyristortriggercircuits.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSH103	文件：96.52 Kbytes Page：12 Pages	N-channelenhancementmodeMOStransistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeMOStransistorinaSOT23SMDpackage. FEATURES •Verylowthreshold •High-speedswitching •Nosecondarybreakdown •DirectinterfacetoC-MOS,TTLetc. APPLICATIONS •Powermanagement •DCtoDCconverters •Batterypoweredapplications •‘Glue-	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSH103	文件：1.85593 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
BSH103	文件：197.85 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodeMOStransistor FEATURES ·Verylowthreshold ·High-speedswitching ·Nosecondarybreakdown ·DirectinterfacetoC-MOS,TTLetc. APPLICATIONS ·Powermanagement ·DCtoDCconverters ·Batterypoweredapplications ·‘Glue-logic’;interfacebetweenlogicblocksand/or periphery ·Generalpurposeswit	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSH103BK	文件：288.26 Kbytes Page：13 Pages	30V,N-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ElectroStaticDis	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSW-103-XX-X	文件：220.7 Kbytes Page：1 Pages	BOTTOMMOUNTSTRIPS Bottommountsocket stripsaccept.025“SQ terminals:. Idealforsolderingand pluggingfromthesame sideoftheboard Forlowprofile connectionsandhigh temperaturesoldering,.	SamtecSamtec, Inc 美国申泰	Samtec

详细参数

型号：
BPS103
制造商：
IDEC
功能描述：
Terminal block, option

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更多BPS103供应商更新时间2025-5-20 9:31:00

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