| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
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6000 |
23+ |
诚信服务，绝对原装原盘 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
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Facom |
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原装现货 支持实单 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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EATON连接器 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
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NICHICON/尼吉康 |
1000000 |
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专营插件.贴片 电解电容 全新原装现货 |
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现代芯城（深圳）科技有限公司8年
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一级代理放心采购 |
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现代芯城（深圳）科技有限公司8年
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深圳市易讯博科技有限公司4年
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EatonNA |
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北京天阳诚业科贸有限公司16年
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FACOMcon |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
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6000 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
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现代芯城（深圳）科技有限公司8年
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一级代理放心采购 |
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现代芯城（深圳）科技有限公司8年
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现代芯城（深圳）科技有限公司8年
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现代芯城（深圳）科技有限公司8年
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现代芯城（深圳）科技有限公司8年
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现代芯城（深圳）科技有限公司8年
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现代芯城（深圳）科技有限公司8年
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BP 104图片
BP/ATM-25ID中文资料Alldatasheet PDF
更多BP 104制造商:Vishay Telefunken 功能描述:Bulk
BP 104 F功能描述:光电二极管 PHOTODIODE SMT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5
BP 104 FASR-Z功能描述:光电二极管 PHOTODIODE, SMT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5
BP 104 FAS-Z功能描述:光电二极管 PHOTODIODE, SMT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5
BP 104 FS-Z功能描述:光电二极管 PHOTODIODE, SMT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5
BP 104 S制造商:OSRAM 功能描述:Photodiode PIN Chip 850nm 0.62A/W Sensitivity 2-Pin SMT
BP 104 SR-Z功能描述:光电二极管 PHOTODIODE, SMT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5
