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ADG201HSTE	文件：283.88 Kbytes Page：8 Pages	LC2MOSHIGHSPEED,QUADSPSTSWITCH	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG201HSTQ	文件：283.88 Kbytes Page：8 Pages	LC2MOSHIGHSPEED,QUADSPSTSWITCH	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
BMIS-201-F	文件：567.4 Kbytes Page：3 Pages	MicrowaveAbsorberMicrowaveAbsorber	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BR201	文件：683.72 Kbytes Page：12 Pages	POLConverterModulefor12VSystemIntermediateBus Description TheBR200andBR201arethintypePOLconvertermoduleswithanindustrystandardexteriorshapeandfootprint,responsivetoveryhighspeedloadsandcompatiblewithceramiccapacitors. FeaturesandBenefits •Industrystandardfootprint •Improvedsoldering:gold-plate	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
BR201	文件：684.16 Kbytes Page：12 Pages	POLConverterModulefor12VSystemIntermediateBus Description TheBR200andBR201arethintypePOLconvertermoduleswithanindustrystandardexteriorshapeandfootprint,responsivetoveryhighspeedloadsandcompatiblewithceramiccapacitors. FeaturesandBenefits •Industrystandardfootprint •Improvedsoldering:gold-plate	SankenSanken Electric Co Ltd. 三垦日本三垦	Sanken
BS201N	文件：225.44 Kbytes Page：3 Pages	GasDischargeTube	Bencent 槟城电子	Bencent
BSH201	文件：150.87 Kbytes Page：7 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor GENERALDESCRIPTION P-channel,enhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistor.Thisdevicehaslowthresholdvoltageandextremelyfastswitchingmakingitidealforbatterypoweredapplicationsandhighspeeddigitalinterfacing. FEATURES •Lowthresholdvoltage •Fastswitching	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSH201	文件：2.50739 Mbytes Page：5 Pages	1.7,60VP-ChannelMOSFET	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
BSH201	文件：238.18 Kbytes Page：8 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor FEATURES •Lowthresholdvoltage •Fastswitching •Logiclevelcompatible •Subminiaturesurfacemount package GENERALDESCRIPTION P-channel,enhancementmode, logiclevel,field-effectpower transistor.Thisdevicehaslow thresholdvoltageandextremely fastswitchingmakingitide	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSO201SP	文件：82.47 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS-PSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSO201SPH	文件：319.72 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSP-Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BT201	文件：36.59 Kbytes Page：2 Pages	DC/DCConverters	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BTA201	文件：72.7 Kbytes Page：12 Pages	Triacslogiclevel	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTA201	文件：76.73 Kbytes Page：12 Pages	1AThree-quadranttriacshighcommutation	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BTA201	文件：76.43 Kbytes Page：12 Pages	1AThree-quadranttriacshighcommutation Generaldescription Passivated,guaranteedcommutationtriacsinaplasticpackage.The‘sensitivegate’EandERseriesareintendedforinterfacingwithlowpowerdrivers,includingmicrocontrollers.ThehighcommutationBseriesaredesignedtocommutatethefullRMScurrentatthemaximumj	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BTA201W	文件：80.47 Kbytes Page：13 Pages	1AThree-quadranttriacshighcommutation Generaldescription Passivatedguaranteedcommutationtriacsinasurface-mountedplasticpackage,intendedforinterfacingwithlow-powerdrivers,includingmicrocontrollers. Features ■Suitableforinterfacingwithlow-powerdrivers,includingmicrocontrollers ■SOT223surfacemounte	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BTA201W	文件：88.54 Kbytes Page：13 Pages	1AThree-quadranttriacshighcommutation	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BUZ201	文件：177.95 Kbytes Page：6 Pages	mainratings Description:FREDFETwithfast-recoveryreversediode,N-channel,enhancementmode	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BUZ201	文件：47.31 Kbytes Page：2 Pages	SOAisPowerDissipationLimited DESCRIPTION •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max) •SOAisPowerDissipationLimited APPLICATIONS designedforapplicationssuchasswitchingregulators, switchingconverters,motordrivers,relaydriversand driversforhighpowerbipolarswitchingtransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BX201N	文件：147.79 Kbytes Page：3 Pages	GasDischargeTube	Bencent 槟城电子	Bencent

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产品属性

产品编号：
BMI-S-201-C
制造商：
Laird Technologies EMI
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频屏蔽
系列：
SMT 2 Piece
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
盖
高度 - 总体：
0.079"（2.00mm）
长度 - 总体：
0.552"（14.02mm）
宽度 - 总体：
0.514"（13.06mm）
通风：
通风孔，按样式排列
安装类型：
卡入式
描述：
RF SHIELD 0.514\

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