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BM6103FV-C	文件：929.16 Kbytes Page：34 Pages	Isolation voltage 2500Vrms 1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BM6103FV-CE2	文件：929.16 Kbytes Page：34 Pages	Isolation voltage 2500Vrms 1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BM6103FV-CE2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：20-LSSOP（0.240"，6.10mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 20SSOP	Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
CPH6103	文件：202.57 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentSwitchingApplications High-CurrentSwitchingApplications Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses. •Highcurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •High-speedswitching. •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobemadesmallandslim(0.9mm). •Highallowablepowerdissipat	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
DAQ6103	文件：264.04 Kbytes Page：2 Pages	0.1TO6.0GHzANALOGDETECTOR	TELEDYNE Teledyne Technologies Incorporated	TELEDYNE
DTQ6103	文件：413.91 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel18-V(D-S)MOSFET FEATURES •DT-TrenchPowerMOSFET •100RgandUISTested APPLICATIONS •Notebook -LoadSwitch	DINTEK Din-Tek Semiconductor	DINTEK
ECQE6103	文件：352.09 Kbytes Page：19 Pages	MetallizedPolyesterFilmCapacitor	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
ECQE6103F	文件：467.71 Kbytes Page：19 Pages	MetallizedPolyesterFilmCapacitor	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
ECQE6103F	文件：173.29 Kbytes Page：9 Pages	MetallizedPolyesterFilmCapacitor MetallizedPolyesterFilmCapacitor Non-inductiveconstructionusingmetallizedPolyesterfilmwithflameretardantepoxyresincoating ■Features •Self-healingproperty •Excellentelectricalcharacteristics •Flameretardantepoxyresincoating •RoHSdirectivecompliant ■RecommendedAp	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
ECQE6103F	文件：173.25 Kbytes Page：9 Pages	MetallizedPolyesterFilmCapacitor	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic

详细参数

型号：
BM6103FV-C
功能描述：
隔离器接口集成电路 1 Ch Gate Dvr
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
2
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
3 V
电源电流：
3.6 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube

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