BLV25中文资料飞利浦数据手册PDF规格书
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BLV25三极管、BLV25晶体管、BLV25晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
甚高频 （VHF）_TR_输出极 （E）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
17.5A
- 最大工作频率：
108MHZ
- 引脚数：
6
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
175W
- 放大倍数：
- 图片代号：
G-256
- vtest：
60
- htest：
108000000
- atest：
17.5
- wtest：
175
BLV25规格书详情
N-P-N silicon planar epitaxial transistor primarily for use in v.h.f.-f.m. broadcast transmitters.
FEATURES
• internally matched input for wideband operation and high power gain;
• multi-base structure and diffused emitter ballasting resistors for an optimum temperature profile;
• gold-metallization ensures excellent reliability.
产品属性
- 型号：
BLV25
- 功能描述：
射频双极电源晶体管 RF Transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
M/A-COM Technology Solutions
- 配置：
Single 直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
40
- 最大工作频率：
30 MHz 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
25 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
4 V
- 集电极连续电流：
20 A
- 功率耗散：
250 W
- 封装/箱体：
Case 211-11
- 封装：
Tray
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
85+ |
SMD |
1 |
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BLV |
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PHI |
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PHI |
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PHI |
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PH |
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BL |
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TO-220 |
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