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BLT81 分立半导体产品晶体管 - 双极(BJT)- 射频 NEC/瑞萨
- 详细信息
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产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
BLT81,115
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
9.5V
- 频率 - 跃迁:
900MHz
- 增益:
8dB
- 功率 - 最大值:
2W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
25 @ 300mA,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
500mA
- 工作温度:
175°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SC-73
- 描述:
RF TRANS NPN 9.5V 900MHZ SOT223
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