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BLS6G3135S-120中文资料PDF规格书
厂商型号 |
BLS6G3135S-120 |
参数属性 | BLS6G3135S-120 封装/外壳为SOT-502B;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B |
功能描述 | LDMOS S-Band radar power transistor |
文件大小 |
68.11 Kbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | NXP Semiconductors |
企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-17 18:10:00 |
BLS6G3135S-120规格书详情
General description
120 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 3.1 GHz to 3.5 GHz range.
Features
■ Typical pulsed RF performance at a frequency of 3.1 GHz to 3.5 GHz, a supply voltage
of 32 V, an IDq of 100 mA, a tp of up to 300 µs with δ of 10 :
◆ Output power = 120 W
◆ Gain = 11 dB
◆ Efficiency = 43
■ Easy power control
■ Integrated ESD protection
■ Excellent ruggedness
■ High efficiency
■ Excellent thermal stability
■ Designed for broadband operation (3.1 GHz to 3.5 GHz)
■ Internally matched for ease of use
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
(RoHS)
Applications
■ S-Band power amplifiers for radar applications in the 3.1 GHz to 3.5 GHz frequency
range
产品属性
- 产品编号:
BLS6G3135S-120,112
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
3.1GHz ~ 3.5GHz
- 增益:
11dB
- 额定电流(安培):
7.2A
- 功率 - 输出:
120W
- 封装/外壳:
SOT-502B
- 供应商器件封装:
SOT502B
- 描述:
RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
18+ |
SOT502 |
12500 |
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询价 | ||
Ampleon |
22+ |
NA |
20 |
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询价 | ||
NXP |
NA |
5500 |
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NXP |
0803+ |
SMD |
20 |
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NXP/恩智浦 |
23+ |
NA/ |
1 |
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NXP/恩智浦 |
23+ |
SMD |
18000 |
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NXP |
2018+ |
SMD |
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Ampleon USA Inc. |
21+ |
CDFM2 |
13880 |
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NXP/恩智浦 |
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SMD |
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NXP |
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