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BLS3135-50规格书详情
DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a 2-lead rectangular flange package with a ceramic cap (SOT422A) with the common base connected to the flange.
FEATURES
• Suitable for short and medium pulse applications
• Internal input and output matching networks for an easy circuit design
• Emitter ballasting resistors improve ruggedness
• Gold metallization ensures excellent reliability
• Interdigitated emitter-base structure provides high emitter efficiency
• Multicell geometry improves power sharing and reduces thermal resistance.
APPLICATIONS
• Common base class-C pulsed power amplifiers for radar applications in the 3.1 to 3.5 GHz band.
产品属性
- 产品编号：
BLS3135-50,114
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
75V
- 频率 - 跃迁：
3.5GHz
- 增益：
8dB
- 功率 - 最大值：
80W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 1.5A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
6A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-422A
- 供应商器件封装：
CDFM2
- 描述：
RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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