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BLS3135-20

Microwave power transistor

DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialmicrowavepowertransistorina2-leadrectangularflangepackagewithaceramiccap(SOT422A)withthecommonbaseconnectedtotheflange. FEATURES •Suitableforshortandmediumpulseapplications •Internalinputandoutputmatchingnetworksforan

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PH3135-20M

RadarPulsedPowerTransistor

MA-COM

M/A-COM Technology Solutions, Inc.

PH3135-20M

RadarPulsedPowerTransistor20W,3.1-3.5GHz,100關sPulse,10Duty

Features •NPNsiliconmicrowavepowertransistors •Commonbaseconfiguration •BroadbandClassCoperation •Highefficiencyinter-digitizedgeometry •Diffusedemitterballastingresistors •Goldmetallizationsystem •Internalinputandoutputimpedancematching •Hermeticmetal/cerami

MA-COM

M/A-COM Technology Solutions, Inc.

PH3135-20M

RadarPulsedPowerTransistor,20W,100msPulse,10Duty3.1-3.5GHz

Features •NPNSiliconMicrowavePowerTransistors •CommonBaseConfiguration •BroadbandClassCOperation •HighEfficiencyInterdigitatedGeometry •DiffusedEmitterBallastingResistors •GoldMetallizationSystem •InternalInputandOutputImpedanceMatching •HermeticMetal/Ceramic

MACOMTyco Electronics

玛科姆技术方案控股有限公司

详细参数

  • 型号:

    BLS3135-20

  • 功能描述:

    射频双极电源晶体管 BULKTR TNS-MICL

  • RoHS:

  • 制造商:

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置:

    Single 直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    40

  • 最大工作频率:

    30 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    25 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    4 V

  • 集电极连续电流:

    20 A

  • 功率耗散:

    250 W

  • 封装/箱体:

    Case 211-11

  • 封装:

    Tray

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恩XP
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更多BLS3135-20供应商 更新时间2025-7-28 17:11:00