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BLP10H603分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

BLP10H603
厂商型号

BLP10H603

参数属性

BLP10H603 封装/外壳为12-VDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

功能描述

Broadband LDMOS driver transistor
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

文件大小

880.79 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Ampleon USA Inc.
企业简称

Ampleon安谱隆

中文名称

安谱隆半导体(合肥)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-30 17:03:00

BLP10H603规格书详情

General description

A 2.5 W plastic LDMOS power transistor for broadcast transmitter and ISM applications at

frequencies from HF to 1400 MHz.

Features and benefits

 Easy power control

 Integrated ESD protection

 Excellent ruggedness

 High efficiency

 Excellent thermal stability

 Designed for broadband operation (HF to 1400 MHz)

 Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

 Industrial, scientific and medical applications

 Broadcast transmitter applications

BLP10H603属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。安谱隆半导体(合肥)有限公司制造生产的BLP10H603晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

  • 产品编号:

    BLP10H603AZ

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    860MHz

  • 增益:

    22.8dB

  • 功率 - 输出:

    2.5W

  • 封装/外壳:

    12-VDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    12-HVSON(6x4)

  • 描述:

    RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Ampleon USA Inc.
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