BLM8205E中文资料沟槽栅金属氧化物半导体场效应管(Trench MOSFETs)数据手册Belling规格书
BLM8205E规格书详情
描述 Description
The BLM8205E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 0.7V. This device is suitable for use as a Battery protection or other switching application.
特性 Features
• High power and current handing capability
• Lead free product is acquired
• RoHS product
技术参数
- 制造商编号
：BLM8205E
- 生产厂家
：Belling
- Mode
：N-Channel
- VDS(Max.)
：20V
- ID(Max.)
：6A
- RDS(on)(Max.)
：23.5mΩ
- Qg(Typ)
：5.2nC
- Package
：TSSOP8 SOT23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AMPLEON |
24+ |
N/A |
1221 |
原装原装原装 |
询价 | ||
BELLING(上海贝岭) |
23+ |
NA |
20094 |
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BLM8D1822-25B |
268 |
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询价 | ||||
MURATA |
24+ |
全新、原装 |
18394 |
假一赔百 |
询价 | ||
AMPLEON |
2022+ |
NA |
6600 |
询价 | |||
BELLING(上海贝岭) |
24+ |
NA/ |
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Murata Manufacturing Co., Ltd. |
23+ |
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MURATA/村田 |
24+ |
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TECHNOLOG |
25+23+ |
SOT23-5 |
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MURATA/村田 |
23+ |
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