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BLM7G22S-60PB数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

BLM7G22S-60PB

参数属性

BLM7G22S-60PB 封装/外壳为SOT-1212-2;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121

功能描述

LDMOS 2-stage power MMIC
RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121

封装外壳

SOT-1212-2

制造商

Ampleon Ampleon USA Inc.

中文名称

安谱隆

数据手册

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更新时间

2025-8-8 17:22:00

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BLM7G22S-60PB规格书详情

描述 Description

The BLM7G22S-60PB(G) is a dual path 2-stage power MMIC using Ampleon’s state of the art GEN7 LDMOS technology. This device is perfectly suited as general purpose driver in the frequency range from 2100 MHz to 2200 MHz. Available in gull wing or flat lead outline.

特性 Features

Integrated temperature compensated bias
Biasing of individual stages is externally accessible
Integrated current sense
Integrated ESD protection
Excellent thermal stability
High power gain
On-chip matching for ease of use (input matched to 50 Ω)
Designed for broadband operation (2100 MHz to 2200 MHz)
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding RoHS

应用 Application

RF power MMIC for W-CDMA base stations 2100 MHz - 2200 MHz

简介

BLM7G22S-60PB属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BLM7G22S-60PB晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BLM7G22S-60PB

  • 生产厂家

    :Ampleon

  • GP (dB)

    :31.5

  • PL(AV) (W)

    :1.6

  • Die Technology

    :LDMOS

  • VDS (V)

    :28.0

  • ηD (%)

    :11.3

  • PL(1dB) (W)

    :60.0

  • PL(1dB) (dBm)

    :47.8

  • Test Signal

    :2-c W-CDMA

  • Fmin (MHz)

    :2100

  • Fmax (MHz)

    :2200

  • Status

    :Production

  • Matching

    :50Ω I

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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