BLM17N04中文资料沟槽栅金属氧化物半导体场效应管(Trench MOSFETs)数据手册Belling规格书
BLM17N04规格书详情
描述 Description
BLM17N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
特性 Features
• High power and current handing capability
• Lead free product is acquired
• 100% avalanche tested
• RoHS product
• Surface mount package
技术参数
- 制造商编号
：BLM17N04
- 生产厂家
：Belling
- Mode
：N-Channel
- VDS(Max.)
：40V
- ID(Max.)
：30A
- RDS(on)(Max.)
：17mΩ
- Qg(Typ)
：30nC
- Package
：TO252
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
0603 |
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SMD |
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