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BLF8G10LS-300P分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BLF8G10LS-300P |
| 参数属性 | BLF8G10LS-300P 封装/外壳为SOT-539B；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B |
| 功能描述 | RF Manual 16th edition |
| 封装外壳 | SOT-539B |
| 文件大小 |
9.37507 Mbytes |
| 页面数量 |
130 页 |
| 生产厂商 | 恩XP |
| 原厂标识 | 恩XP |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 20:00:00 |
| 人工找货 | BLF8G10LS-300P价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BLF8G10LS-300P规格书详情
General description
10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Features and benefits
■ High efficiency
■ Excellent ruggedness
■ Designed for broadband operation
■ Excellent thermal stability
■ High power gain
■ Integrated ESD protection
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
Applications
■ CDMA
■ W-CDMA
■ GSM EDGE
■ MC-GSM
■ LTE
■ WiMAX
产品属性
- 产品编号：
BLF8G10LS-300PU
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
LDMOS（双），共源
- 频率：
760.5MHz ~ 800.5MHz
- 增益：
20.5dB
- 功率 - 输出：
65W
- 封装/外壳：
SOT-539B
- 供应商器件封装：
SOT539B
- 描述：
RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AMPLEON |
24+ |
NA/ |
45 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
SMD |
914 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
恩XP |
18+ |
SOT539B |
12500 |
全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
原装，正品 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
6000 |
原装现货订货价格优势 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
标准封装 |
29270 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
16000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
标准封装 |
6000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
恩XP |
2025+ |
SOT |
3570 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
PHI |
ROHS |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 |
