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BLF574XRS数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

BLF574XRS

参数属性

BLF574XRS 封装/外壳为SOT-1214B;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214B

功能描述

Power LDMOS transistor
RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214B

封装外壳

SOT-1214B

制造商

Ampleon Ampleon USA Inc.

中文名称

安谱隆

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:16:00

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BLF574XRS规格书详情

描述 Description

A 600 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial applications in the HF to 500 MHz band. This product is an enhanced version of the BLF574 using Ampleon's XR process to provide maximum ruggedness capability in the most severe applications without compromising the RF performance.

特性 Features

Easy power control
Integrated ESD protection
Excellent ruggedness
High efficiency
Excellent thermal stability
Designed for broadband operation (HF to 500 MHz)
Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

应用 Application

Industrial, scientific and medical applications
Broadcast transmitter applications

简介

BLF574XRS属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BLF574XRS晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BLF574XRS

  • 生产厂家

    :Ampleon

  • GP (dB)

    :24.0

  • Die Technology

    :LDMOS

  • VDS (V)

    :50.0

  • ηD (%)

    :74.7

  • PL(1dB) (W)

    :600.0

  • PL(1dB) (dBm)

    :57.8

  • Test Signal

    :Pulsed RF

  • Fmin (MHz)

    :10

  • Fmax (MHz)

    :500

  • Status

    :Not for design in

  • Matching

    :-

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