BLF278分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
BLF278规格书详情
DESCRIPTION
Dual push-pull silicon N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor encapsulated in a 4-lead, SOT262A1 balanced flange package with two ceramic caps. The mounting flange provides the common source connection for the transistors.
FEATURES
• High power gain
• Easy power control
• Good thermal stability
• Gold metallization ensures excellent reliability.
APPLICATIONS
• Broadcast transmitters in the VHF frequency range.
产品属性
- 产品编号：
BLF278/01,112
- 制造商：
Ampleon USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
2 N 沟道（双）共源
- 频率：
108MHz
- 增益：
22dB
- 额定电流（安培）：
18A
- 功率 - 输出：
300W
- 封装/外壳：
SOT-262A1
- 供应商器件封装：
CDFM4
- 描述：
RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
TO-62 |
5070 |
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恩XP |
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25+ |
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PHI |
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TO-62 |
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恩XP |
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恩XP |
23+ |
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恩XP |
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SOT-262A1 |
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PHI |
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原装 |
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