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BLF2425M7LS250P分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

BLF2425M7LS250P
厂商型号

BLF2425M7LS250P

参数属性

BLF2425M7LS250P 封装/外壳为SOT-539B;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539B

功能描述

Power LDMOS transistor
RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539B

封装外壳

SOT-539B

文件大小

1.036089 Mbytes

页面数量

11

生产厂商 Ampleon USA Inc.
企业简称

Ampleon安谱隆

中文名称

安谱隆官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-22 23:00:00

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BLF2425M7LS250P规格书详情

BLF2425M7LS250P属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由安谱隆制造生产的BLF2425M7LS250P晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

General description

250 W LDMOS power transistor for Industrial, Scientific and Medical (ISM) applications at

frequencies from 2400 MHz to 2500 MHz.

The BLF2425M7L250P and BLF2425M7LS250P are designed for high-power CW

applications and are assembled in high performance ceramic packages, available in

eared and earless versions

Features and benefits

 High efficiency

 Easy power control

 Excellent ruggedness

 Excellent thermal stability

 Integrated ESD protection

 Designed for broadband operation (2400 MHz to 2500 MHz)

 Internally matched

 Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

 RF power amplifiers for CW applications in the 2400 MHz to 2500 MHz frequency

range such as ISM and industrial heating.

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BLF2425M7LS250P

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS(双),共源

  • 频率:

    2.45GHz

  • 增益:

    15dB

  • 功率 - 输出:

    250W

  • 封装/外壳:

    SOT-539B

  • 供应商器件封装:

    SOT539B

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539B

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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