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BLD6G22L-50中文资料PDF规格书

BLD6G22L-50
厂商型号

BLD6G22L-50

参数属性

BLD6G22L-50 封装/外壳为SOT-1130A;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A

功能描述

RF Manual 16th edition

文件大小

9.37507 Mbytes

页面数量

130

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-23 23:00:00

BLD6G22L-50规格书详情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

产品属性

  • 产品编号:

    BLD6G22L-50,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS(双),共源

  • 频率:

    2.14GHz

  • 增益:

    14dB

  • 额定电流(安培):

    10.2A

  • 功率 - 输出:

    8W

  • 封装/外壳:

    SOT-1130A

  • 供应商器件封装:

    CDFM4

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NXP/恩智浦
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