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BLC2425M10LS250分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
BLC2425M10LS250 |
参数属性 | BLC2425M10LS250 封装/外壳为SOT-1270-1;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:BLC2425M10LS250/SOT1273/TRAYDP |
功能描述 | Power LDMOS transistor |
文件大小 |
1.39539 Mbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | Ampleon USA Inc. |
企业简称 |
Ampleon【安谱隆】 |
中文名称 | 安谱隆半导体(合肥)有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-29 20:20:00 |
BLC2425M10LS250规格书详情
General description
250 W LDMOS-based power transistor suitable for use in a variety of commercial and
consumer cooking, industrial, scientific and medical applications at frequencies from
2400 MHz to 2500 MHz.
The BLC2425M10LS250 is designed for high-power CW applications and is assembled in
a high performance plastic package.
Features and benefits
High efficiency
Excellent ruggedness
Integrated ESD protection
Designed for broadband operation (2400 MHz to 2500 MHz)
Internally input and output matched
For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website
Applications
RF power amplifiers for CW applications in the 2400 MHz to 2500 MHz frequency
range such as commercial and consumer cooking, industrial, scientific and medical
applications
BLC2425M10LS250属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。安谱隆半导体(合肥)有限公司制造生产的BLC2425M10LS250晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号:
BLC2425M10LS250Z
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
2.4GHz ~ 2.5GHz
- 增益:
14.4dB
- 额定电流(安培):
2.8µA
- 功率 - 输出:
250W
- 封装/外壳:
SOT-1270-1
- 供应商器件封装:
SOT-1270-1
- 描述:
BLC2425M10LS250/SOT1273/TRAYDP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
AMPLEON |
19+ |
SMD |
117 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
AMPLEON |
22+ |
SOT-1270-1 |
8001 |
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AMPLEON |
2023+ |
SMD |
55864 |
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28 |
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Ampleon USA Inc. |
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9000 |
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