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BLC2425M10LS250分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

BLC2425M10LS250
厂商型号

BLC2425M10LS250

参数属性

BLC2425M10LS250 封装/外壳为SOT-1270-1;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:BLC2425M10LS250/SOT1273/TRAYDP

功能描述

Power LDMOS transistor
BLC2425M10LS250/SOT1273/TRAYDP

文件大小

1.39539 Mbytes

页面数量

11

生产厂商 Ampleon USA Inc.
企业简称

Ampleon安谱隆

中文名称

安谱隆半导体(合肥)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-29 20:20:00

BLC2425M10LS250规格书详情

General description

250 W LDMOS-based power transistor suitable for use in a variety of commercial and

consumer cooking, industrial, scientific and medical applications at frequencies from

2400 MHz to 2500 MHz.

The BLC2425M10LS250 is designed for high-power CW applications and is assembled in

a high performance plastic package.

Features and benefits

 High efficiency

 Excellent ruggedness

 Integrated ESD protection

 Designed for broadband operation (2400 MHz to 2500 MHz)

 Internally input and output matched

 For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website

Applications

 RF power amplifiers for CW applications in the 2400 MHz to 2500 MHz frequency

range such as commercial and consumer cooking, industrial, scientific and medical

applications

BLC2425M10LS250属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。安谱隆半导体(合肥)有限公司制造生产的BLC2425M10LS250晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

  • 产品编号:

    BLC2425M10LS250Z

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    2.4GHz ~ 2.5GHz

  • 增益:

    14.4dB

  • 额定电流(安培):

    2.8µA

  • 功率 - 输出:

    250W

  • 封装/外壳:

    SOT-1270-1

  • 供应商器件封装:

    SOT-1270-1

  • 描述:

    BLC2425M10LS250/SOT1273/TRAYDP

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