BL30N60中文资料N-channel Enhanced MOSFETs数据手册Belling规格书
BL30N60规格书详情
描述 Description
BL30N60, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications.
特性 Features
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
• RoHS product
技术参数
- 制造商编号
：BL30N60
- 生产厂家
：Belling
- Mode
：N-Channel
- VDS(Max.)
：600V
- ID(Max.)
：30A
- RDS(on)(Max.)
：150mΩ
- Qg(Typ)
：146nC
- Package
：TO247 TO3PN
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