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BL170N10TD中文资料50A, 100V, 83W, N Channel, Power MOSFETs数据手册Galaxy规格书

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厂商型号

BL170N10TD

功能描述

50A, 100V, 83W, N Channel, Power MOSFETs

制造商

Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-11-4 14:31:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :BL170N10TD

  • 生产厂家

    :Galaxy

  • AEC Qualified

    :NO

  • Pb Free

    :YES

  • Halide free

    :YES

  • Reach

    :YES

  • RoHS

    :YES

  • Marketing Status

    :Active

  • Configuration

    :Single

  • Channel Polarity

    :N

  • ESD

    :N

  • TJ(°C)max.

    :150

  • TJ(°C)min.

    :-55

  • PD(W)Max.

    :83

  • V(BR)DSS(V)Min.

    :100

  • VGS(V)Max.

    :±20

  • ID(A)Max.

    :50

  • IGSS(uA)Max.

    :±0.1

  • VGS(th)(V)Max.

    :2.5

  • RDS(on)(mΩ)@10VTyp.

    :14

  • RDS(on)(mΩ)@10VMax.

    :17

  • RDS(on)(mΩ)@4.5VTyp.

    :19

  • RDS(on)(mΩ)@4.5VMax.

    :25

  • ECCN(US)

    :EAR99

  • Category

    :中低压功率MOS

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