BL10N65中文资料N-channel Enhanced MOSFETs数据手册Belling规格书
BL10N65规格书详情
描述 Description
BL10N65, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications.
特性 Features
• Fast Switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
• RoHS product
•
技术参数
- 制造商编号
：BL10N65
- 生产厂家
：Belling
- Mode
：N-Channel
- VDS(Max.)
：650V
- ID(Max.)
：10A
- RDS(on)(Max.)
：750mΩ
- Qg(Typ)
：32nC
- Package
：TO220 TO220F
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
23+ |
DIP |
1050 |
正品原装货价格低 |
询价 | |||
BL |
23+24 |
DIP |
29850 |
原装正品优势渠道价格合理.可开13%增值税发票 |
询价 | ||
Apex |
1824+ |
NA |
16 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
BL |
24+ |
NA |
200 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
BL |
1922+ |
DIP |
8200 |
绝对进口原装现货 |
询价 | ||
BL |
23+ |
DIP18 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
JXND |
24+ |
TO-220 |
50000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
BELLING |
25+ |
DIP |
940 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
24+ |
TSSOP-28P |
8336 |
公司现货库存,支持实单 |
询价 | ||
BELLING/上海贝岭 |
2450+ |
DIP-20 |
6540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 |
